 |
advertisement |
|
|
|
|
|
|
|
Industrial Automatic Control Systems and Controllers
Annotation << Back
|
Review of Manufacture Methods and Construction Analysis of High Temperature Semiconductor Silicon Carbide Pressure Sensors |
Barinov I.N.
The constructive-technological problems, trends and development conditions of the high temperature semiconductor silicon carbide pressure sensors are viewed.
Keywords: silicon carbide, high temperature pressure sensor, fabrication technique, sensor element
E-mail: mzungu@inbox.ru.
Pp. 25-36
|
|
|
|
Last news:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |
