Промышленные АСУ и контроллеры Аннотация к статье << Назад Температурные режимы силовых транзисторов при их контроле и диагностике Доманов В.И. Доманов А.В. Зайцев В.А. Анализируются тепловые процессы при проведении измерений и испытаний силовых полупроводниковых приборов, связанных с их нагревом. Обосновываются процессы нагрева и охлаждения транзистора. Анализируется температурный режим при энергоциклировании полупроводниковых приборов. Разработана тепловая модель транзистор-термодатчик для таких испытаний. Рассчитаны режимы нагрева и охлаждения. Обоснована необходимость температурной коррекции. Разработан управляющий алгоритм энергоциклирования, приведен узел оперативной диагностики состояния испытуемого транзистора. Рассматривается способ измерения теплового сопротивления транзистора по значениям порогового напряжения. Обосновывается методика процесса измерения. Проведен синтез управляющей части измерителя. Приводятся выражения для расчета теплового сопротивления по конструкторско-технологическим характеристикам кристалла. Обосновывается необходимость учета распределения параметров при использовании метода измерения теплового сопротивления. Ключевые слова: транзистор; тепловые процессы; энергоциклирование; тепловое сопротивление; модель; алгоритм; диагностика; пороговое напряжение. Контактная информация: E-mail: andrew.domanov@gmail.com Стр. 44-50.