|
реклама |
|
|
|
|
|
|
Промышленные АСУ и контроллеры Аннотация к статье << Назад
Способ оценивания расстояний между переходными отверстиями топологий специализированных интегральных микросхем на базовом матричном кристалле |
И.М. Булаев
В статье рассмотрен способ оценивания расстояний между переходными отверстиями топологий специализированных интегральных микросхем на базовом матричном кристалле на основе Байесовского подхода, позволяющий повысить оперативность процессов обработки цифровых изображений слоев металлизации интегральных микросхем, получаемых путем оптической микроскопии в процессе обратного проектирования. Предложен алгоритм, реализующий рассматриваемый способ.
Ключевые слова: топология интегральной микросхемы; металлизация интегральных микросхем; специализированные интегральные микросхемы; оптическая микроскопия; обратное проектирование; цифровая обработка изображений; переходные отверстия.
DOI: 10.25791/asu.09.2019.859
Контактная информация: -
Стр. 49-53. |
|
|
|
Последние новости:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |